CMT8602B-W
隔离驱动芯片
CMT8602B-W
CMT8602B-W是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。
隔离式双通道
栅极驱动器
CMT8602B-W是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5700 Vrms 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为150 kV/us。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达1500VDC的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器,两个高侧驱动器或一个死区时间(DT)可编程的半桥驱动器。禁用引脚在设为高电平时可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

 

应用:

HEV 和EV 电池充电器
直流/直流和交流/直流电源中的隔离式转换器
电机驱动和直流/交流光伏逆变器

LED照明
感应加热
不间断电源(UPS)



隔离电压:

5kV

驱动电流:

4A-6A

欠压保护:

9V

CMTI:

150kV/us

温度范围:

-40°C~125°C

驱动类型:

双管驱动

封装形式:

SOIC-16W
设计文档与资源

在线选型

资料下载

期待您的来电 4001-189-180

联系电话

咨询邮箱

微信公众号

TOP
联系我们